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摩珂達半導(dǎo)體申請功率GaN HEMT開關(guān)動態(tài)電流特性建模方法專利 多項指標相對于傳統(tǒng)模型存在明顯優(yōu)勢:開關(guān)特性測試儀
金融界2025年5月23日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江摩珂達半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種功率GaNHEMT開關(guān)動態(tài)電流特性建模方法”的專利，公開號CN120030962A，申請日期為202
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