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奧?？萍忌暾埜纳崎_關(guān)電源動態(tài)特性專利，確保開關(guān)電源具有正常的動態(tài)調(diào)整能力:開關(guān)特性測試儀
金融界2025年4月8日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，東莞市奧?？萍脊煞萦邢薰旧暾堃豁椕麨椤耙环N改善開關(guān)電源動態(tài)特性的方法及系統(tǒng)”的專利，公開號CN119765889A，申請日期為2024年1
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杭州譜析光晶半導體取得改善動態(tài)特性的SiC VDMOSFET結(jié)構(gòu)專利，優(yōu)化開關(guān)損耗和開關(guān)EMI噪聲:開關(guān)特性測試儀
金融界2025年5月16日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州譜析光晶半導體科技有限公司取得一項名為“一種改善動態(tài)特性的SiCVDMOSFET結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號CN222869304U，申請日期
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泰科天潤取得用于研究封裝類型對功率開關(guān)管動態(tài)特性影響的測試方法專利:開關(guān)特性測試儀
金融界2025年3月5日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司取得一項名為“用于研究封裝類型對功率開關(guān)管動態(tài)特性影響的測試方法”的專利，授權(quán)公告號CN115166467
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35kv開關(guān)柜母線耐壓試驗標準:耐壓試驗
35kV開關(guān)柜母線耐壓試驗的標準涉及多個方面耐壓試驗，以下是對該試驗標準的詳細歸納：35kv開關(guān)柜母線耐壓試驗標準一、測試準備1.檢查設(shè)備完整性：確保開關(guān)柜設(shè)備完好無損，母線連接牢固，絕緣件無
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10kv開關(guān)柜耐壓試驗標準:耐壓試驗
10kv開關(guān)柜耐壓試驗標準10kV開關(guān)柜的耐壓試驗標準主要依據(jù)《電氣裝置安裝工程電氣設(shè)備交接試驗標準》GB50150的相關(guān)規(guī)定進行耐壓試驗。以下是對10kV開關(guān)柜耐壓試驗標準的詳細歸納：一、試驗
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高壓開關(guān)動特性測試儀|武漢恒新國儀|高壓開關(guān)動特性測試儀:開關(guān)特性測試儀
武漢恒新國儀科技公司生產(chǎn)GYKC-IV高壓開關(guān)動特性測試儀開關(guān)特性測試儀。高壓斷路器在電力系統(tǒng)中擔負著控制和保護的雙重任務(wù)，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電力系統(tǒng)的安全運行。機械特性參數(shù)是判斷斷路器性能的重要
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高壓開關(guān)動特性測試儀|高壓開關(guān)動特性測試儀|武漢恒新國儀:開關(guān)特性測試儀
武漢恒新國儀科技公司生產(chǎn)GYKC-IV高壓開關(guān)動特性測試儀開關(guān)特性測試儀。高壓斷路器在電力系統(tǒng)中擔負著控制和保護的雙重任務(wù)，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電力系統(tǒng)的安全運行。機械特性參數(shù)是判斷斷路器性能的重要
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摩珂達半導體申請功率GaN HEMT開關(guān)動態(tài)電流特性建模方法專利 多項指標相對于傳統(tǒng)模型存在明顯優(yōu)勢:開關(guān)特性測試儀
金融界2025年5月23日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江摩珂達半導體有限公司申請一項名為“一種功率GaNHEMT開關(guān)動態(tài)電流特性建模方法”的專利，公開號CN120030962A，申請日期為202
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變頻串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置10kV技術(shù)說明:耐壓試驗
設(shè)備組成及基本參數(shù)特點1.激勵變壓器6kVA/1kV/0.4kV（1臺）額定容量：6kVA輸入電壓：0-400V耐壓試驗，單相輸出電壓：1kV結(jié)構(gòu)：干式重量：約40kg2.變頻電
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HDZG直流高壓發(fā)生器給避雷器做試驗的方法說明:直流高壓發(fā)生器
一、閥式避雷器的試驗試驗項目：絕緣電阻、電導電流、檢查放電計數(shù)器試驗儀器：華頂電力HDZG系列直流高壓發(fā)生器直流高壓發(fā)生器，絕緣電阻測試儀、沖擊試驗器，1、絕緣電阻的試驗目的：測量閥式