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摩珂達(dá)半導(dǎo)體申請(qǐng)功率GaN HEMT開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)電流特性建模方法專利 多項(xiàng)指標(biāo)相對(duì)于傳統(tǒng)模型存在明顯優(yōu)勢(shì):開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀

金融界2025年5月23日消息,國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江摩珂達(dá)半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種功率GaN HEMT開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)電流特性建模方法”的專利,公開(kāi)號(hào)CN120030962A,申請(qǐng)日期為2025年01月開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀。

專利摘要顯示,本發(fā)明公開(kāi)一種功率GaN HEMT開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)電流特性建模方法,結(jié)合了先進(jìn)的靜態(tài)和遞歸神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)概念,以設(shè)計(jì)出精確的模型架構(gòu)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀。所提出的模型整合了自熱效應(yīng),并耦合了三種不同的電流分量:零階時(shí)間微分的本征電流模塊、一階時(shí)間微分的容性電流模塊以及高階時(shí)間微分的非理想電流模塊,從而形成了一個(gè)全面的GaN HEMT非線性動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)輸出電流模型。在時(shí)間?頻率域精度、時(shí)間步長(zhǎng)精度、計(jì)算效率以及模型泛化能力等多項(xiàng)指標(biāo)相對(duì)于傳統(tǒng)模型存在明顯優(yōu)勢(shì)。

天眼查資料顯示,浙江摩珂達(dá)半導(dǎo)體有限公司,成立于2024年,位于嘉興市,是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀。企業(yè)注冊(cè)資本3000萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析,浙江摩珂達(dá)半導(dǎo)體有限公司財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息15條,專利信息3條。

來(lái)源:金融界

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